차세대 메모리 CB램, 질소 도핑으로 간단하게 성능 높여
의료기기나 웨어러블 디바이스, 스마트폰 등의 손안의 기기가 늘어나면서 작고 성능 좋은 차세대 메모리 개발에 관심이 높다. 전원이 꺼져도 정보가 그대로인 차세대 비휘발성 메모리는 F램, Re램 등이 있는데 POSTECH(포항공대) 연구팀이 Re램의 일종인 CB램(CBRAM)의 전기를 마련할 기술을 개발했다. POSTECH 노준석 교수, 박사후연구원 닐루파 래이즈 호쎄니(Niloufar Raeis – Hosseini), 황현상 교수팀은 질소를 도핑한 GST를 이용해 저항률이 100배 증가해 성능이…
