대기전력 소모 1만 배 적은 저전력 트랜지스터 개발
단일물질 두께 차이 이종접합 터널 제작, 저전력·고속 터널 전계효과 인공지능 기술 발달로 자율주행차, 사물인터넷 등 많은 양의 데이터를 저전력, 고속으로 처리할 수 있는 비메모리 반도체 기술이 주목을 받고 있다. KAIST 물리학과 조성재 교수 연구팀이 기존의 금속 산화물 반도체 전계효과 트랜지스터(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET) 대비 작동전력 소모량이 10배 이상, 대기전력 소모량이 1만 배 가까이 적은 저전력,…